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Bias Temperature Instability for Devices and Circuits

This book provides a single-source reference to one of the more challenging reliability issues plaguing modern semiconductor technologies, negative bias temperature instability. Readers will benefit from state-of-the art coverage of research in topics such as time dependent defect spectroscopy, anomalous defect behavior, stochastic modeling with additional metastable states, multiphonon theory, compact modeling with RC ladders and implications on device reliability and lifetime.

The parametric shifts or circuit failures caused by Bias Temperature Instability (BTI) and other aging mechanisms in CMOS transistors have become more severe with shrinking device sizes and voltage margins. These mechanisms must be studied in order to develop accurate reliability models which are used to design robust circuits. Another option

6.17 MB DATEIGRÖSSE
1461479088 ISBN
Englisch SPRACHE
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Technik

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Sofia Voigt

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Matteo Müller

Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability ausgefu¨hrt zum Zwecke der Erlangung des akademischen Grades eines Doktors der technischen Wissenschaften eingereicht an der Technischen Universitat Wien Fakulta¨t fu¨r Elektrotechnik und Informationstechnik von Robert Entner 9725877 / E754 Gratweiner Straße 5

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